જોકે કાર્બન,સિલિકોન અને જર્મેનિયમ સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે અને દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન છે,તેમ છતાં તેમની બેન્ડ રચનાને કારણે ઉર્જા ગેપ નીચે મુજબ છે:

  • A
    $E_g (Si) < E_g(Ge) < E_g(C)$
  • B
    $E_g (Si) > E_g(Ge) < E_g(C)$
  • C
    $E_g (Si) < E_g(Ge) > E_g(C)$
  • D
    $E_g (Si) > E_g(Ge) > E_g(C)$

Explore More

Similar Questions

$Si$ અને $Ge$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના લખો.

વિદ્યુતના સારા વાહકોમાં કયા પ્રકારનું બંધન જોવા મળે છે?

જ્યારે સિલિકોન નમૂનાનું તાપમાન $27^\circ C$ થી વધારીને $100^\circ C$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે સિલિકોનની વાહકતા શું થશે?

વિધાન : સેમિકન્ડક્ટરની અવરોધકતા તાપમાન સાથે વધે છે.
કારણ : સેમિકન્ડક્ટરના પરમાણુઓ ઊંચા તાપમાને મોટા કંપવિસ્તાર સાથે કંપન કરે છે,જેનાથી તેની અવરોધકતા વધે છે.

નીચેના વિધાનોને ધ્યાનપૂર્વક વાંચો:
$Y:$ તાપમાનમાં વધારો થતાં અર્ધવાહકની અવરોધકતા ઘટે છે.
$Z:$ વાહક ઘન પદાર્થમાં,તાપમાનમાં વધારો થતાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન અને આયનો વચ્ચેના અથડામણનો દર વધે છે.
નીચેનામાંથી સાચું વિધાન પસંદ કરો:

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo